maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / CIGT201210UHR68MNE
Référence fabricant | CIGT201210UHR68MNE |
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Numéro de pièce future | FT-CIGT201210UHR68MNE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIGT |
CIGT201210UHR68MNE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Thin Film |
Matériau - Noyau | Metal Composite |
Inductance | 680nH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 3A |
Courant - Saturation | 4.4A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 47 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201210UHR68MNE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIGT201210UHR68MNE-FT |
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AT40K10AL-1EQC
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5SGXMA5K3F40I3LN
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LFE2M20SE-6FN256I
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LCMXO2-2000HE-6BG256C
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10AX090H4F34I3LG
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EP2AGX65CU17C6ES
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