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Référence fabricant | CIG22H1R5MNE |
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Numéro de pièce future | FT-CIG22H1R5MNE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIG22H |
CIG22H1R5MNE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 1.5µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.5A |
Courant - Saturation | 2.4A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 104 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIG22H1R5MNE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIG22H1R5MNE-FT |
CIH05Q3N0SNC
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CIH05Q3N3SNC
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XC6SLX150-3FGG900I
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XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
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EP3C16F484C7
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5SGSMD4K2F40I3L
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EP1M350F780I6N
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LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
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5SGSMD3H1F35C1N
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