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Référence fabricant | CGHV1F006S |
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Numéro de pièce future | FT-CGHV1F006S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GaN |
CGHV1F006S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | HEMT |
La fréquence | 6GHz |
Gain | 16dB |
Tension - Test | 40V |
Note actuelle | 950mA |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 60mA |
Puissance - sortie | 8W |
Tension - nominale | 100V |
Paquet / caisse | 12-VFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 12-DFN (4x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CGHV1F006S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CGHV1F006S-FT |
AFT26P100-4WSR3
NXP USA Inc.
MD7P19130HSR3
NXP USA Inc.
MD7P19130HSR5
NXP USA Inc.
MRF7P20040HSR3
NXP USA Inc.
MRF7P20040HSR5
NXP USA Inc.
MRF8HP21080HSR3
NXP USA Inc.
MRF8HP21130HSR3
NXP USA Inc.
MRF8HP21130HSR5
NXP USA Inc.
MRF8P20100HSR3
NXP USA Inc.
MRF8P20100HSR5
NXP USA Inc.
XC7A35T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240I
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256
Microsemi Corporation
A54SX16A-2PQG208
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100T
Microsemi Corporation
10AX016C3U19E2LG
Intel
XC5VLX50-3FFG1153C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-3FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB3D4F35C5N
Intel
5SGSMD4H3F35C2LN
Intel