maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / CG2H40010F
Référence fabricant | CG2H40010F |
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Numéro de pièce future | FT-CG2H40010F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GaN |
CG2H40010F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | HEMT |
La fréquence | 8GHz |
Gain | 16.5dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 100mA |
Puissance - sortie | - |
Tension - nominale | 120V |
Paquet / caisse | 440166 |
Package d'appareils du fournisseur | 440166 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CG2H40010F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CG2H40010F-FT |
AFG24S100HR5
NXP USA Inc.
MMRF5014HR5
NXP USA Inc.
MMRF5014H-200MHZ
NXP USA Inc.
MMRF5014H-500MHZ
NXP USA Inc.
AFT05MP075GNR1
NXP USA Inc.
AFT09MP055GNR1
NXP USA Inc.
MRFE6VP5150GNR1
NXP USA Inc.
MRFE6VP5300GNR1
NXP USA Inc.
MRF8P9040GNR1
NXP USA Inc.
MRFE6S8046GNR1
NXP USA Inc.
XC6VLX130T-2FFG484I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F484C8N
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
M2GL090-1FGG676
Microsemi Corporation
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
5CEBA5U19C8N
Intel
EP3C120F780C7
Intel