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Référence fabricant | CE201210-2N2D |
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Numéro de pièce future | FT-CE201210-2N2D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CE201210 |
CE201210-2N2D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ceramic |
Inductance | 2.2nH |
Tolérance | ±0.3nH |
Note actuelle | 300mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | 18 @ 100MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 4GHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.041" (1.03mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CE201210-2N2D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CE201210-2N2D-FT |
CI100505-4N7D
Bourns Inc.
CI100505-6N8J
Bourns Inc.
CI100505-56NJ
Bourns Inc.
CI100505-10NJ
Bourns Inc.
CI100505-18NJ
Bourns Inc.
CI100505-1N0D
Bourns Inc.
CI100505-1N2D
Bourns Inc.
CI100505-1N5D
Bourns Inc.
CI100505-1N8D
Bourns Inc.
CI100505-27NJ
Bourns Inc.
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel