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Référence fabricant | CDSV-21-G |
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Numéro de pièce future | FT-CDSV-21-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CDSV-21-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDSV-21-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDSV-21-G-FT |
1PS59SB20,115
NXP USA Inc.
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS294,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
BAR43
ON Semiconductor
BAR74E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS 16 B5003
Infineon Technologies
BAS 40 B5003
Infineon Technologies
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel