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Référence fabricant | CDR6D28MNNP-9R0NC |
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Numéro de pièce future | FT-CDR6D28MNNP-9R0NC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CDR6D28MN |
CDR6D28MNNP-9R0NC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 9µH |
Tolérance | ±25% |
Note actuelle | 1.9A |
Courant - Saturation | 2.6A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 82.5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.256" L x 0.256" W (6.50mm x 6.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.118" (3.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDR6D28MNNP-9R0NC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDR6D28MNNP-9R0NC-FT |
CDRH104NP-331MC
Sumida America Components Inc.
CDRH104NP-390MC
Sumida America Components Inc.
CDRH104NP-391MC
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CDRH104R-100NC
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CDRH104R-101NC
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
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5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
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AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
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EPF10K50VBC356-4
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EP3C40F324C8N
Intel