maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / CDR35BX823BKUSAT
Référence fabricant | CDR35BX823BKUSAT |
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Numéro de pièce future | FT-CDR35BX823BKUSAT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-55681, CDR35 |
CDR35BX823BKUSAT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 0.082µF |
Tolérance | ±10% |
Tension - nominale | 100V |
Coéfficent de température | BX |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | - |
Évaluations | - |
Applications | High Reliability |
Taux d'échec | S (0.001%) |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 1825 (4564 Metric) |
Taille / Dimension | 0.177" L x 0.252" W (4.50mm x 6.40mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.059" (1.50mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDR35BX823BKUSAT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDR35BX823BKUSAT-FT |
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XCV100E-8FG256C
Xilinx Inc.
M2GL050T-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8
Intel
5CEBA4F17C6N
Intel
5SGXEA5N3F45C2N
Intel
XC2V1500-5FFG896I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2BG329I
Microsemi Corporation
A3PE1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1
Intel