maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / CDR35BX563BKUSAT
Référence fabricant | CDR35BX563BKUSAT |
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Numéro de pièce future | FT-CDR35BX563BKUSAT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-55681, CDR35 |
CDR35BX563BKUSAT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 0.056µF |
Tolérance | ±10% |
Tension - nominale | 100V |
Coéfficent de température | BX |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | - |
Évaluations | - |
Applications | High Reliability |
Taux d'échec | S (0.001%) |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 1825 (4564 Metric) |
Taille / Dimension | 0.177" L x 0.252" W (4.50mm x 6.40mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.059" (1.50mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDR35BX563BKUSAT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDR35BX563BKUSAT-FT |
CDR35BX334AMZSAB
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XC4005E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC4013XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
A3P250-2VQG100
Microsemi Corporation
EP2S30F484C3
Intel
EP3SE50F484C2
Intel
EP3C25F256C6N
Intel
5SGXMA7N1F45I2N
Intel
A3P250L-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180FF35I4N
Intel