maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / CDR35BX104BKUS
Référence fabricant | CDR35BX104BKUS |
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Numéro de pièce future | FT-CDR35BX104BKUS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-55681, CDR35 |
CDR35BX104BKUS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 0.1µF |
Tolérance | ±10% |
Tension - nominale | 100V |
Coéfficent de température | BX |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | - |
Évaluations | - |
Applications | High Reliability |
Taux d'échec | S (0.001%) |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 1825 (4564 Metric) |
Taille / Dimension | 0.177" L x 0.252" W (4.50mm x 6.40mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.059" (1.50mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDR35BX104BKUS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDR35BX104BKUS-FT |
CDR06BX474AKWRAR
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CDR06BX474AKWRAT
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A1425A-PQ100I
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG1152I
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I3LN
Intel
EP3SE260F1152C3N
Intel
XC5VFX130T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF35C4N
Intel
EP1S30F780I6N
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