maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / CDR33BX563AMZPAT
Référence fabricant | CDR33BX563AMZPAT |
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Numéro de pièce future | FT-CDR33BX563AMZPAT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-55681, CDR33 |
CDR33BX563AMZPAT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 0.056µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 50V |
Coéfficent de température | BX |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | - |
Évaluations | - |
Applications | High Reliability |
Taux d'échec | P (0.1%) |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.049" (1.25mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDR33BX563AMZPAT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDR33BX563AMZPAT-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4FGG676I
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A3P125-PQ208
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA7K3F40I4N
Intel
EP3SE80F1152I4
Intel
A40MX02-3PLG44
Microsemi Corporation
XC6SLX9-3CSG324I
Xilinx Inc.
10AX115N4F40E3SG
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
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