maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / CDR33BP182BJWSAT
Référence fabricant | CDR33BP182BJWSAT |
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Numéro de pièce future | FT-CDR33BP182BJWSAT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-55681, CDR33 |
CDR33BP182BJWSAT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 1800pF |
Tolérance | ±5% |
Tension - nominale | 100V |
Coéfficent de température | BP |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | - |
Évaluations | - |
Applications | High Reliability |
Taux d'échec | S (0.001%) |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.049" (1.25mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDR33BP182BJWSAT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDR33BP182BJWSAT-FT |
CDR33BP152BJWMAR
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EP1C6T144I7
Intel
AX500-1FG484M
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-8BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-25F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEABK1H40C2N
Intel
XC5VLX330T-1FF1738C
Xilinx Inc.
XC6VHX565T-1FFG1923I
Xilinx Inc.
XC6VSX315T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFEC10E-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation