maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / CDR32BX562BKWSAT
Référence fabricant | CDR32BX562BKWSAT |
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Numéro de pièce future | FT-CDR32BX562BKWSAT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-55681, CDR32 |
CDR32BX562BKWSAT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 5600pF |
Tolérance | ±10% |
Tension - nominale | 100V |
Coéfficent de température | BX |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | - |
Évaluations | - |
Applications | High Reliability |
Taux d'échec | S (0.001%) |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 1206 (3216 Metric) |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.051" (1.30mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDR32BX562BKWSAT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDR32BX562BKWSAT-FT |
CDR32BX472BKUPAB
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A1425A-PQ100I
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG1152I
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EP1K10TC100-2N
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5SGXEABK3H40I3LN
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EP3SE260F1152C3N
Intel
XC5VFX130T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF35C4N
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EP1S30F780I6N
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