maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / CDR32BP331BFUSAT
Référence fabricant | CDR32BP331BFUSAT |
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Numéro de pièce future | FT-CDR32BP331BFUSAT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-55681, CDR32 |
CDR32BP331BFUSAT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 330pF |
Tolérance | ±1% |
Tension - nominale | 100V |
Coéfficent de température | BP |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | - |
Évaluations | - |
Applications | High Reliability |
Taux d'échec | S (0.001%) |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 1206 (3216 Metric) |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.051" (1.30mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDR32BP331BFUSAT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDR32BP331BFUSAT-FT |
CDR32BP330BKUMAC
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CDR32BP330BKUMAJ
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XC6SLX16-L1FT256I
Xilinx Inc.
M2GL010-FG484
Microsemi Corporation
AX500-1FG484M
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE55F23C7
Intel
A42MX09-PQ160A
Microsemi Corporation
M1A3P400-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H2F34E2SG
Intel
EP2C70F896C8N
Intel