maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / CDR31BP3R3BDWSAT
Référence fabricant | CDR31BP3R3BDWSAT |
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Numéro de pièce future | FT-CDR31BP3R3BDWSAT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-55681, CDR31 |
CDR31BP3R3BDWSAT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 3.3pF |
Tolérance | ±0.5pF |
Tension - nominale | 100V |
Coéfficent de température | BP |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | - |
Évaluations | - |
Applications | High Reliability |
Taux d'échec | S (0.001%) |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.051" (1.30mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDR31BP3R3BDWSAT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDR31BP3R3BDWSAT-FT |
CDR31BP360BJMSAT
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Microsemi Corporation
XC7A15T-1CSG325C
Xilinx Inc.
EP20K1000CF672C7ES
Intel
EP20K300EFC672-2XA
Intel
EP3C16F256C6N
Intel
EP3SL340F1517C4N
Intel
XCKU035-3SFVA784E
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC3D3F31I3N
Intel
EP2SGX60DF780I4
Intel