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Référence fabricant | CDR105BNP-560LC |
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Numéro de pièce future | FT-CDR105BNP-560LC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CDR105B |
CDR105BNP-560LC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 56µH |
Tolérance | ±15% |
Note actuelle | 930mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 190 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 11.1MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 100°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2.52MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.217" (5.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDR105BNP-560LC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDR105BNP-560LC-FT |
UP5S-470-R
Eaton - Electronics Division
UP5S-471-R
Eaton - Electronics Division
UP5S-680-R
Eaton - Electronics Division
UP5S-681-R
Eaton - Electronics Division
7443763521015
Wurth Electronics Inc.
7443763521022
Wurth Electronics Inc.
7443763521033
Wurth Electronics Inc.
7443763540068
Wurth Electronics Inc.
7443763540100
Wurth Electronics Inc.
7443763540150
Wurth Electronics Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel