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Référence fabricant | CDBV120-G |
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Numéro de pièce future | FT-CDBV120-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CDBV120-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 450mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | 120pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBV120-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDBV120-G-FT |
BAS70E6433HTMA1
Infineon Technologies
1PS193,115
NXP USA Inc.
1PS193,135
NXP USA Inc.
1PS59SB10,115
NXP USA Inc.
1PS59SB20,115
NXP USA Inc.
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS294,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel