maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / CDBV120-G
Référence fabricant | CDBV120-G |
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Numéro de pièce future | FT-CDBV120-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CDBV120-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 450mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | 120pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBV120-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDBV120-G-FT |
BAS70E6433HTMA1
Infineon Technologies
1PS193,115
NXP USA Inc.
1PS193,135
NXP USA Inc.
1PS59SB10,115
NXP USA Inc.
1PS59SB20,115
NXP USA Inc.
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS294,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
10CL040ZU484I8G
Intel
EPF10K30EFC484-3
Intel
EP4SGX360KF43C3N
Intel
5SGXEA9K2H40C2N
Intel
XC6VLX130T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19I7N
Intel