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Référence fabricant | CDBM1100-G |
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Numéro de pièce future | FT-CDBM1100-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CDBM1100-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 120pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123T |
Package d'appareils du fournisseur | Mini SMA/SOD-123 |
Température de fonctionnement - Jonction | -50°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBM1100-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDBM1100-G-FT |
1N4937L-T
Diodes Incorporated
1N5391S-T
Diodes Incorporated
1N5392S-T
Diodes Incorporated
1N5393S-T
Diodes Incorporated
1N5395S-T
Diodes Incorporated
1N5397S-T
Diodes Incorporated
1N5398S-T
Diodes Incorporated
1N5399S-T
Diodes Incorporated
1N5818-B
Diodes Incorporated
FR106-T
Diodes Incorporated
XC2V1500-4FGG676C
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XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel