maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / CDBJSC3650-G
Référence fabricant | CDBJSC3650-G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CDBJSC3650-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CDBJSC3650-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 3A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 650V |
Capacité @ Vr, F | 190pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBJSC3650-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDBJSC3650-G-FT |
CSFMT102-HF
Comchip Technology
CSFMT103-HF
Comchip Technology
CSFMT105-HF
Comchip Technology
CSFMT107-HF
Comchip Technology
CURMT101-HF
Comchip Technology
CURMT102-HF
Comchip Technology
CURMT105-HF
Comchip Technology
CURMT106-HF
Comchip Technology
CDBW140-G
Comchip Technology
CGRKM4001-HF
Comchip Technology
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel