maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / CDBJFSC5650-G
Référence fabricant | CDBJFSC5650-G |
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Numéro de pièce future | FT-CDBJFSC5650-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CDBJFSC5650-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 5A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 650V |
Capacité @ Vr, F | 430pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBJFSC5650-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDBJFSC5650-G-FT |
CGRMT4003-HF
Comchip Technology
CGRMT4006-HF
Comchip Technology
CSFMT101-HF
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CSFMT105-HF
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CURMT101-HF
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CURMT105-HF
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XC3SD3400A-4CS484C
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Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
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LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
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EP1S40F1020I6N
Intel