maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / CDBHD1100L-G
Référence fabricant | CDBHD1100L-G |
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Numéro de pièce future | FT-CDBHD1100L-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CDBHD1100L-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Schottky |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 750mV @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-269AA, 4-BESOP |
Package d'appareils du fournisseur | Mini-Dip (TO-269AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBHD1100L-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDBHD1100L-G-FT |
GBJ2510
Diodes Incorporated
GBJ6005
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GBJ804
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A3PN030-ZQNG68
Microsemi Corporation
EP20K30ETC144-2N
Intel
LFXP3E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5FG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
10CL055YU484C8G
Intel
LFE5U-45F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35C4N
Intel