maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / CDBGBSC20650-G
Référence fabricant | CDBGBSC20650-G |
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Numéro de pièce future | FT-CDBGBSC20650-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CDBGBSC20650-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 33A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 10A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 650V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBGBSC20650-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDBGBSC20650-G-FT |
PD412211
Powerex Inc.
PD412411
Powerex Inc.
PN410611
Powerex Inc.
PN410811
Powerex Inc.
PN411011
Powerex Inc.
PN411211
Powerex Inc.
PN411411
Powerex Inc.
PN411611
Powerex Inc.
PN411811
Powerex Inc.
PN412011
Powerex Inc.
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-2FG676C
Xilinx Inc.
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3CQC
Microchip Technology
EP20K600CF672C7
Intel
EP4CE22E22I8L
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153I7G
Intel