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Comchip Technology CDBGBSC201200-G

Name: CDBGBSC201200-G
Brand: Comchip Technology
SKU: CDBGBSC201200-G
Price: 10.859184 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (156 reviews)

Numéro de pièce MFG: CDBGBSC201200-G

quantité disponible: 27690 Pièces

Prix de référence: USD 10.859184

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Comchip Technology

Brève description: - DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Diodes - Redresseurs - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: CDBGBSC201200-G.pdf

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CDBGBSC201200-G Caractéristiques

Référence fabricant	CDBGBSC201200-G
Numéro de pièce future	FT-CDBGBSC201200-G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
CDBGBSC201200-G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Configuration de la diode	1 Pair Common Cathode
Type de diode	Silicon Carbide Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)	1200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode)	25.9A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si	1.8V @ 10A
La vitesse	No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	100µA @ 1200V
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	TO-247-3
Package d'appareils du fournisseur	TO-247
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CDBGBSC201200-G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	CDBGBSC201200-G-FT

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