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Référence fabricant | CDBGBSC201200-G |
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Numéro de pièce future | FT-CDBGBSC201200-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CDBGBSC201200-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 25.9A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 10A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBGBSC201200-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDBGBSC201200-G-FT |
PD412011
Powerex Inc.
PD412211
Powerex Inc.
PD412411
Powerex Inc.
PN410611
Powerex Inc.
PN410811
Powerex Inc.
PN411011
Powerex Inc.
PN411211
Powerex Inc.
PN411411
Powerex Inc.
PN411611
Powerex Inc.
PN411811
Powerex Inc.
XCS20XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
EP20K60ETC144-3
Intel
LFXP6C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FT256I
Xilinx Inc.
XC3S700A-5FGG484C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2L
Intel
10AX057K4F35E3SG
Intel