maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / CDBGBSC201200-G
Référence fabricant | CDBGBSC201200-G |
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Numéro de pièce future | FT-CDBGBSC201200-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CDBGBSC201200-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 25.9A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 10A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBGBSC201200-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDBGBSC201200-G-FT |
PD412011
Powerex Inc.
PD412211
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