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CDBDSC5650-G Image

Comchip Technology CDBDSC5650-G

Numéro de pièce MFG
CDBDSC5650-G
quantité disponible
39930 Pièces
Prix de référence
USD 1.8
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Comchip Technology
Brève description
- DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Diodes - Redresseurs - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
CDBDSC5650-G.pdf
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CDBDSC5650-G Caractéristiques

Référence fabricant CDBDSC5650-G
Numéro de pièce future FT-CDBDSC5650-G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
CDBDSC5650-G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de diode Silicon Carbide Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) 650V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) 21.5A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si 1.7V @ 5A
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 100µA @ 650V
Capacité @ Vr, F 424pF @ 0V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareils du fournisseur D-PAK (TO-252)
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CDBDSC5650-G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange CDBDSC5650-G-FT

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