maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / CDBD20200-G
Référence fabricant | CDBD20200-G |
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Numéro de pièce future | FT-CDBD20200-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CDBD20200-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 20A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBD20200-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CDBD20200-G-FT |
MBR3045CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR30H100CT-E1
Diodes Incorporated
MBR30H100CTF-G1
Diodes Incorporated
PD410611
Powerex Inc.
PD410811
Powerex Inc.
PD411011
Powerex Inc.
PD411211
Powerex Inc.
PD411411
Powerex Inc.
PD411811
Powerex Inc.
PD412011
Powerex Inc.
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel