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Référence fabricant | CD1-3R8-R |
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Numéro de pièce future | FT-CD1-3R8-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CD |
CD1-3R8-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 3.8µH |
Tolérance | ±30% |
Note actuelle | 6.55A |
Courant - Saturation | 6A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 13 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.413" L x 0.409" W (10.50mm x 10.40mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.157" (4.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CD1-3R8-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CD1-3R8-R-FT |
CAL45TB1R5K
Taiyo Yuden
CAL45TB1R8K
Taiyo Yuden
CAL45TB220K
Taiyo Yuden
CAL45TB221K
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CAL45TB222K
Taiyo Yuden
CAL45TB270K
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CAL45TB271K
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CAL45TB272K
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CAL45TB2R2K
Taiyo Yuden
CAL45TB2R7K
Taiyo Yuden
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
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EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel