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Référence fabricant | CBRHDSH2-100 TR13 |
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Numéro de pièce future | FT-CBRHDSH2-100 TR13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CBRHDSH2-100 TR13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Schottky |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 840mV @ 2A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -50°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 4-HD DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBRHDSH2-100 TR13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CBRHDSH2-100 TR13-FT |
KBPC5001-G
Comchip Technology
KBPC5002-G
Comchip Technology
KBPC5004-G
Comchip Technology
KBPC5008-G
Comchip Technology
DF210ST-G
Comchip Technology
DF1504ST-G
Comchip Technology
DF1510S-G
Comchip Technology
DF202ST-G
Comchip Technology
DF10ST-G
Comchip Technology
DF1504S-G
Comchip Technology
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4N
Intel