maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / CBR1F-D010
Référence fabricant | CBR1F-D010 |
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Numéro de pièce future | FT-CBR1F-D010 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CBR1F-D010 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-EDIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 4-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR1F-D010 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CBR1F-D010-FT |
689-1D, 1N, 1P
Microsemi Corporation
689-2D, 2N, 2P
Microsemi Corporation
689-3D, 3N, 3P
Microsemi Corporation
689-4D, 4N, 4P
Microsemi Corporation
689-5D, 5N, 5P
Microsemi Corporation
689-6D, 6N, 6P
Microsemi Corporation
695-1
Microsemi Corporation
695-2
Microsemi Corporation
695-6
Microsemi Corporation
696-1
Microsemi Corporation
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel