maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / CBR06C809D1GAC
Référence fabricant | CBR06C809D1GAC |
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Numéro de pièce future | FT-CBR06C809D1GAC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CBR-SMD RF C0G |
CBR06C809D1GAC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 8pF |
Tolérance | ±0.5pF |
Tension - nominale | 100V |
Coéfficent de température | C0G, NP0 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | High Q, Low Loss, Ultra Low ESR |
Évaluations | - |
Applications | RF, Microwave, High Frequency |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 0603 (1608 Metric) |
Taille / Dimension | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.034" (0.87mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR06C809D1GAC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CBR06C809D1GAC-FT |
CBR06C399AAGAC
KEMET
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XC6SLX150-2FGG676I
Xilinx Inc.
AGL030V2-VQ100
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Xilinx Inc.
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FBG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640C-5MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
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EP2S90F1020C5N
Intel