maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / CBR04C808B1GAC
Référence fabricant | CBR04C808B1GAC |
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Numéro de pièce future | FT-CBR04C808B1GAC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CBR-SMD RF C0G |
CBR04C808B1GAC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 0.8pF |
Tolérance | ±0.1pF |
Tension - nominale | 100V |
Coéfficent de température | C0G, NP0 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | High Q, Low Loss, Ultra Low ESR |
Évaluations | - |
Applications | RF, Microwave, High Frequency |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 0402 (1005 Metric) |
Taille / Dimension | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.022" (0.55mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR04C808B1GAC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CBR04C808B1GAC-FT |
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AGL600V2-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-1FG484
Microsemi Corporation
A42MX24-3PQG208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35F484C6N
Intel
10AX048H3F34I2SG
Intel
EP3SL150F1152C2
Intel
XC2VP40-6FFG1152I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160A
Microsemi Corporation