maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / CBR04C129B2GAC
Référence fabricant | CBR04C129B2GAC |
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Numéro de pièce future | FT-CBR04C129B2GAC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CBR-SMD RF C0G |
CBR04C129B2GAC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 1.2pF |
Tolérance | ±0.1pF |
Tension - nominale | 200V |
Coéfficent de température | C0G, NP0 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | High Q, Low Loss, Ultra Low ESR |
Évaluations | - |
Applications | RF, Microwave, High Frequency |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 0402 (1005 Metric) |
Taille / Dimension | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.022" (0.55mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR04C129B2GAC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CBR04C129B2GAC-FT |
CBR04C180G5GAC
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Microsemi Corporation
AGL600V5-FGG484I
Microsemi Corporation
EPF10K50VFC484-2
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EP4CE22F17C6N
Intel
XC7A200T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
LCMXO256C-5MN100C
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LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30AQC208-2N
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