maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / CBR02C479A3GAC
Référence fabricant | CBR02C479A3GAC |
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Numéro de pièce future | FT-CBR02C479A3GAC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CBR-SMD RF C0G |
CBR02C479A3GAC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 4.7pF |
Tolérance | ±0.05pF |
Tension - nominale | 25V |
Coéfficent de température | C0G, NP0 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | High Q, Low Loss, Ultra Low ESR |
Évaluations | - |
Applications | RF, Microwave, High Frequency |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 0201 (0603 Metric) |
Taille / Dimension | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.013" (0.33mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR02C479A3GAC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CBR02C479A3GAC-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4FGG676I
Xilinx Inc.
A3P125-PQ208
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA7K3F40I4N
Intel
EP3SE80F1152I4
Intel
A40MX02-3PLG44
Microsemi Corporation
XC6SLX9-3CSG324I
Xilinx Inc.
10AX115N4F40E3SG
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel