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Référence fabricant | CBR02C110J8GAC |
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Numéro de pièce future | FT-CBR02C110J8GAC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CBR-SMD RF C0G |
CBR02C110J8GAC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 11pF |
Tolérance | ±5% |
Tension - nominale | 10V |
Coéfficent de température | C0G, NP0 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | High Q, Low Loss, Ultra Low ESR |
Évaluations | - |
Applications | RF, Microwave, High Frequency |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 0201 (0603 Metric) |
Taille / Dimension | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.013" (0.33mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR02C110J8GAC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CBR02C110J8GAC-FT |
C0402C333K8RALTU
KEMET
C0402C473M4RALTU
KEMET
C0402C563K4RALTU
KEMET
05HV25B224MC
KEMET
10HV25B224MN
KEMET
10HV25B474KC
KEMET
20HV25N103KNM
KEMET
50HV25N152KCM
KEMET
10HV25B224K
KEMET
05HV24B125KC
KEMET
LFEC1E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010AFC256-1
Intel
10AX048E4F29I3SG
Intel
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2SGX90FF1508I4N
Intel