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Référence fabricant | CBL2012T1R0M |
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Numéro de pièce future | FT-CBL2012T1R0M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CB, L Type |
CBL2012T1R0M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 950mA |
Courant - Saturation | 620mA |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 195 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 100MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBL2012T1R0M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CBL2012T1R0M-FT |
CBC2012T220M
Taiyo Yuden
HK2125R33J-T
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LCMXO640E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP4SGX290FH29C3
Intel
5SGXEA4K2F35I2LN
Intel
A1010B-PLG44C
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29I5G
Intel
EP20K60EQC240-2X
Intel
EPF8636AQC160-3
Intel
EP1SGX40GF1020I6
Intel