maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / CB2016T100M
Référence fabricant | CB2016T100M |
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Numéro de pièce future | FT-CB2016T100M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CB |
CB2016T100M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 10µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 520mA |
Courant - Saturation | 250mA |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 650 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 32MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2.52MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0806 (2016 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0806 (2016 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.071" (1.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CB2016T100M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CB2016T100M-FT |
LBC2518T1R0MRV
Taiyo Yuden
LBC2518T1R0MV
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LBC2518T1R5M
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel