maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / CB2012T100KR
Référence fabricant | CB2012T100KR |
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Numéro de pièce future | FT-CB2012T100KR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CB |
CB2012T100KR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 10µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 520mA |
Courant - Saturation | 200mA |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 650 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 32MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2.52MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.057" (1.45mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CB2012T100KR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CB2012T100KR-FT |
LB2016T680K
Taiyo Yuden
LB2016T680M
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LB2016T6R8M
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LBC2016T1R5M
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A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel