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Référence fabricant | CAV25010VE-GT3 |
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Numéro de pièce future | FT-CAV25010VE-GT3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
CAV25010VE-GT3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 1Kb (128 x 8) |
Fréquence d'horloge | 10MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAV25010VE-GT3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CAV25010VE-GT3-FT |
R1LV0808ASB-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0808ASB-7SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0808ASB-7SI#S0
Renesas Electronics America
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R1LV0816ASB-5SI#S0
Renesas Electronics America
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R1LV0816ASB-7SI#S0
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R1RW0416DSB-2PI#D0
Renesas Electronics America
R1RW0416DSB-2PI#D1
Renesas Electronics America
RMLV0414EGSB-4S2#HA0
Renesas Electronics America
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation