maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / CAV24C256WE-GT3
Référence fabricant | CAV24C256WE-GT3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CAV24C256WE-GT3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
CAV24C256WE-GT3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | 1MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | 400ns |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAV24C256WE-GT3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CAV24C256WE-GT3-FT |
R1LV0808ASB-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0816ASB-5SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0816ASB-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0816ASB-7SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0816ASB-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1RW0416DSB-2PI#D0
Renesas Electronics America
R1RW0416DSB-2PI#D1
Renesas Electronics America
RMLV0414EGSB-4S2#HA0
Renesas Electronics America
RMLV0416EGSB-4S2#AA0
Renesas Electronics America
RMLV0416EGSB-4S2#HA0
Renesas Electronics America