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Référence fabricant | CAT5116VI-GT3 |
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Numéro de pièce future | FT-CAT5116VI-GT3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CAT5116VI-GT3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Cône | Logarithmic |
Configuration | Potentiometer |
Nombre de circuits | 1 |
Nombre de robinets | 100 |
Résistance (Ohms) | 32k |
Interface | Up/Down (U/D, INC, CS) |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 5.5V |
Caractéristiques | - |
Tolérance | ±20% |
Coefficient de température (Typ) | 300 ppm/°C |
Résistance - Essuie-glace (Ohms) (Typ) | 400 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAT5116VI-GT3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CAT5116VI-GT3-FT |
ISL23415UFUZ-TK
Renesas Electronics America Inc.
ISL23418TFUZ
Renesas Electronics America Inc.
ISL23418TFUZ-T7A
Renesas Electronics America Inc.
ISL23418TFUZ-TK
Renesas Electronics America Inc.
ISL23418WFUZ-T7A
Renesas Electronics America Inc.
ISL23418WFUZ-TK
Renesas Electronics America Inc.
ISL23710UIU10Z
Renesas Electronics America Inc.
ISL23710UIU10Z-T
Renesas Electronics America Inc.
ISL23710WIU10Z
Renesas Electronics America Inc.
ISL23710WIU10Z-T
Renesas Electronics America Inc.
EX128-PTQ64I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PQG100I
Microsemi Corporation
XCS20-3VQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG484T
Microsemi Corporation
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF40C2N
Intel
A54SX16A-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO256C-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29C4N
Intel
EP20K300EBC652-3
Intel