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Référence fabricant | CAT5116VI-GT3 |
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Numéro de pièce future | FT-CAT5116VI-GT3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CAT5116VI-GT3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Cône | Logarithmic |
Configuration | Potentiometer |
Nombre de circuits | 1 |
Nombre de robinets | 100 |
Résistance (Ohms) | 32k |
Interface | Up/Down (U/D, INC, CS) |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 5.5V |
Caractéristiques | - |
Tolérance | ±20% |
Coefficient de température (Typ) | 300 ppm/°C |
Résistance - Essuie-glace (Ohms) (Typ) | 400 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAT5116VI-GT3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CAT5116VI-GT3-FT |
ISL23415UFUZ-TK
Renesas Electronics America Inc.
ISL23418TFUZ
Renesas Electronics America Inc.
ISL23418TFUZ-T7A
Renesas Electronics America Inc.
ISL23418TFUZ-TK
Renesas Electronics America Inc.
ISL23418WFUZ-T7A
Renesas Electronics America Inc.
ISL23418WFUZ-TK
Renesas Electronics America Inc.
ISL23710UIU10Z
Renesas Electronics America Inc.
ISL23710UIU10Z-T
Renesas Electronics America Inc.
ISL23710WIU10Z
Renesas Electronics America Inc.
ISL23710WIU10Z-T
Renesas Electronics America Inc.
A40MX04-VQ80
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M1A3P600-PQ208
Microsemi Corporation
EP3C10F256I7
Intel
EP4SGX360KF43I3N
Intel
5SGSMD5H2F35C3N
Intel
10AX090N1F40E1SG
Intel
EP2AGX95EF35C5
Intel
EP1AGX50DF780C6
Intel