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Référence fabricant | CAT5112VI-10-T3 |
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Numéro de pièce future | FT-CAT5112VI-10-T3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CAT5112VI-10-T3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Cône | Linear |
Configuration | Potentiometer |
Nombre de circuits | 1 |
Nombre de robinets | 32 |
Résistance (Ohms) | 10k |
Interface | Up/Down (U/D, INC, CS) |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 6V |
Caractéristiques | - |
Tolérance | ±20% |
Coefficient de température (Typ) | 300 ppm/°C |
Résistance - Essuie-glace (Ohms) (Typ) | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAT5112VI-10-T3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CAT5112VI-10-T3-FT |
ISL23315UFUZ-TK
Renesas Electronics America Inc.
ISL23318UFUZ
Renesas Electronics America Inc.
ISL23318UFUZ-T7A
Renesas Electronics America Inc.
ISL23318UFUZ-TK
Renesas Electronics America Inc.
ISL23415UFUZ
Renesas Electronics America Inc.
ISL23415UFUZ-T7A
Renesas Electronics America Inc.
ISL23415UFUZ-TK
Renesas Electronics America Inc.
ISL23418TFUZ
Renesas Electronics America Inc.
ISL23418TFUZ-T7A
Renesas Electronics America Inc.
ISL23418TFUZ-TK
Renesas Electronics America Inc.
LCMXO2280E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX36-PQG208M
Microsemi Corporation
A3PN250-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
EP2AGZ300HF40C4N
Intel
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13I7N
Intel