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Référence fabricant | CAT5110TBI-10GT3 |
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Numéro de pièce future | FT-CAT5110TBI-10GT3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CAT5110TBI-10GT3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Cône | Linear |
Configuration | Rheostat |
Nombre de circuits | 1 |
Nombre de robinets | 32 |
Résistance (Ohms) | 10k |
Interface | Up/Down (U/D, CS) |
Type de mémoire | Volatile |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 5.5V |
Caractéristiques | - |
Tolérance | ±20% |
Coefficient de température (Typ) | 200 ppm/°C |
Résistance - Essuie-glace (Ohms) (Typ) | 200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Paquet / caisse | SOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAT5110TBI-10GT3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CAT5110TBI-10GT3-FT |
CAT5129TDI-00GT3
ON Semiconductor
DS2890-000+T&R
Maxim Integrated
CAT5118SDI-10GT3
ON Semiconductor
CAT5118SDI-50GT3
ON Semiconductor
CAT5118SDI-00GT3
ON Semiconductor
CAT5110SDI-00GT3
ON Semiconductor
CAT5119SDI-10GT3
ON Semiconductor
CAT5138SDI-10GT3
ON Semiconductor
CAT5137SDI-10GT3
ON Semiconductor
ISL90462UIE627Z-TK
Renesas Electronics America Inc.
LCMXO2-1200HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG400I
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C25F256C6N
Intel
XC6VHX380T-2FFG1155I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS70F780C8
Intel
5CEBA2U15C7N
Intel