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Référence fabricant | C4D10120H |
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Numéro de pièce future | FT-C4D10120H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Z-Rec® |
C4D10120H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 31.5A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 10A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | 754pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C4D10120H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | C4D10120H-FT |
PR1004-T
Diodes Incorporated
PR1005-T
Diodes Incorporated
SB120-T
Diodes Incorporated
SB140-T
Diodes Incorporated
SB150-T
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SB160-T
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SB170-T
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SB180-T
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SB190-T
Diodes Incorporated
UF1004-T
Diodes Incorporated
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel