maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / C4D02120A
Référence fabricant | C4D02120A |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-C4D02120A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Z-Rec® |
C4D02120A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 2A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | 167pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C4D02120A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | C4D02120A-FT |
SB140-T
Diodes Incorporated
SB150-T
Diodes Incorporated
SB160-T
Diodes Incorporated
SB170-T
Diodes Incorporated
SB180-T
Diodes Incorporated
SB190-T
Diodes Incorporated
UF1004-T
Diodes Incorporated
UF1005-T
Diodes Incorporated
UF1007-T
Diodes Incorporated
1N4001GL-T
Diodes Incorporated
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel