maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / C3D20065D
Référence fabricant | C3D20065D |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-C3D20065D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Z-Rec® |
C3D20065D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 10A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 60µA @ 650V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C3D20065D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | C3D20065D-FT |
MBR40035CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR40040CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR40040CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR40045CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR40045CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR60020CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR60020CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR60030CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR60030CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR60035CTL
GeneSiC Semiconductor
LCMXO1200C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-PQG208
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-SWG16TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC672-1
Intel
EP4CGX30CF23C7N
Intel
5SGSED8N3F45C3N
Intel
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-7MG328CAHQ
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP20K200BC356-3
Intel