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Référence fabricant | BZX85B10-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-BZX85B10-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZX85B10-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 1.3W |
Impédance (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 7.5V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-41 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX85B10-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZX85B10-TAP-FT |
SMZJ3798A-E3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3798A-E3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3798AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3798AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3799A-E3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3799A-E3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3799AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3799AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3800A-E3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3800A-E3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel