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Référence fabricant | BZX55F9V1-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-BZX55F9V1-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZX55F9V1-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolérance | ±1% |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 10 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 6.8V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 200mA |
Température de fonctionnement | 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX55F9V1-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZX55F9V1-TAP-FT |
BZG05B5V6-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B62-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B62-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B62-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B62-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B68-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B68-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B68-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B68-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B6V2-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F35C1N
Intel
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-2FF1156I
Xilinx Inc.
XC7S25-L1CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation