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Référence fabricant | BZX55F6V8-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-BZX55F6V8-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZX55F6V8-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolérance | ±1% |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 8 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 3V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 200mA |
Température de fonctionnement | 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX55F6V8-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZX55F6V8-TAP-FT |
BZG05B5V1-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B5V1-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B5V1-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B5V6-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B5V6-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B5V6-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B5V6-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B62-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B62-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B62-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP20-6FG676I
Xilinx Inc.
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
EP1SGX10DF672I6
Intel
EPF10K100AFC484-1
Intel
5SGXEA7N2F40C3
Intel
5SGXEBBR2H43C2L
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation