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Référence fabricant | BZX55F4V3-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-BZX55F4V3-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZX55F4V3-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 4.3V |
Tolérance | ±1% |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 75 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 200mA |
Température de fonctionnement | 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX55F4V3-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZX55F4V3-TAP-FT |
BZG05B51-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B51-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B51-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B51-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B56-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B56-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B56-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B56-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B5V1-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZG05B5V1-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
A3P250-1PQG208
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256ZE-2SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC7D6F27C7N
Intel
EP3C40F484C8N
Intel
XC4VLX100-11FFG1148C
Xilinx Inc.
A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
10AX115S3F45I2SGES
Intel
5AGXBA7D4F35C5N
Intel