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Référence fabricant | BZX55C3V6-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-BZX55C3V6-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZX55C3V6-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 3.6V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 85 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 200mA |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX55C3V6-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZX55C3V6-TAP-FT |
BZX55C13-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55C13-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55C15-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55C16-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55C18-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55C20-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55C22-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55C22-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55C24-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55C24-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20AF256I8N
Intel
EPF6016AFC256-3
Intel
5SGXMA3E3H29C2LN
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC7A75T-2CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation