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Référence fabricant | BZX55B8V2-TR |
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Numéro de pièce future | FT-BZX55B8V2-TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BZX55B8V2-TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolérance | - |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 6.2V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 200mA |
Température de fonctionnement | 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX55B8V2-TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZX55B8V2-TR-FT |
1N5239C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5240C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5240C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5241C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5241C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5242C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5242C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5243B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5244B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5244B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC4013E-2BG225C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC484-3
Intel
5AGXMA7D4F27C4N
Intel
5SGSED8N1F45C2N
Intel
EP4S40G5H40I3N
Intel
XC5VSX35T-1FFG665C
Xilinx Inc.